光刻工藝的應(yīng)用行業(yè)

晶體三極管、二極管、電容、電阻和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內(nèi)構(gòu)成。
光刻生產(chǎn)的目標(biāo)是根據(jù)電路設(shè)計的要求，生成尺寸精確的特征圖形　光刻是所有四個基本工藝中最關(guān)鍵的。
光刻確定了器件的關(guān)鍵尺寸。光刻過程中的錯誤可造成圖形歪曲或套準(zhǔn)不好，最終可轉(zhuǎn)化為對器件的電特性產(chǎn)生影響。圖形的錯位也會導(dǎo)致類似的不良結(jié)果。
光刻工藝中的另一個問題是缺陷。光刻是高科技版本的照相術(shù)，只不過是在難以置信的微小尺寸下完成。
在制程中的污染物會造成缺陷。事實(shí)上由于光刻在晶圓生產(chǎn)過程中要完成5層至20層或更多，所以污染問題將會放大。